产品 封装 配置 晶体管极性 电阻基极/源极 RDS(导通) 基极/源极击穿电压 漏极连续电流 功率耗散 典型下降时间 典型上升时间 典型 关闭延迟时间 封装/箱体 正向跨导 gFS(最大值/最小值) 闸/源击穿电压  
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IRF140 IRF140 IR N CH MOSFET, 100V, 28A, TO-204AE Transistor Polarity:N Channel 数据表 500 1 : ¥121.2 25 : ¥111.1 50 : ¥106.05
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BTB16H-600BW3G ON Semiconductor MOSFET 16A 600V TRIAC 请电话联系 310 : ¥10.706 500 : ¥7.0296
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